Bipolartransistor 2SB992-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB992-O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SB992-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB992-O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB992 liegt im Bereich von 70 bis 240, die des 2SB992-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB992-O-Transistor könnte nur mit "B992-O" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB992-O ist der 2SD1362-O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB992-O

Sie können den Transistor 2SB992-O durch einen 2N6491, 2N6491G, 2SA1010, 2SA1077, 2SA1329, 2SA1329-O, 2SA1452, 2SA1452-O, 2SA1452A, 2SA1452A-O, 2SB1018, 2SB1018-O, 2SB1018A, 2SB1018A-O, 2SB708, 2SB870, 2SB946, BD538, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD800, BD802, BD810, BD910, BD912, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, D45H11, D45H11FP, KSA1010, KSB708, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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