Bipolartransistor 2SB826-Q

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 70 bis 140
• Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB826-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB826 liegt im Bereich von 70 bis 280, die des 2SB826-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB826-S im Bereich von 140 bis 280.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB826-Q-Transistor könnte nur mit "B826-Q" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB826-Q ist der 2SD1062-Q.Sie können den Transistor 2SB826-Q durch einen 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, 2SA1328, 2SA1328-O, 2SA1329, 2SA1329-O, 2SA1451, 2SA1451-O, 2SA1451A, 2SA1451A-O, 2SA1452, 2SA1452-O, 2SA1452A, 2SA1452A-O, 2SB1136, 2SB1136-Q, BD546A, BD546B, BD546C, BD708, BD710, BD712, BD744A, BD744B, BD744C, BD908, BD910, BD912, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86 oder BDT86F ersetzen.