Bipolartransistor 2N6109G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6109G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Der 2N6109G ist die bleifreie Version des 2N6109-Transistors

Pinbelegung des 2N6109G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N6109G ist der 2N6290G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6109G

Sie können den Transistor 2N6109G durch einen 2N6107, 2N6107G, 2N6108, 2N6109, 2N6110, 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, BD204, BD304, BD708, BD710, BD712, BD744A, BD744B, BD744C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD908, BD910, BD912, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78 oder NTE197 ersetzen.
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