Bipolartransistor 2SB707-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB707-R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB707-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB707-R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB707 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SB707-O im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB707-Y im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB707-R-Transistor könnte nur mit "B707-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB707-R ist der 2SD568-M.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB707-R

Sie können den Transistor 2SB707-R durch einen 2N6107, 2N6107G, 2N6110, 2N6133, 2N6134, 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, 2SA1010, 2SA1010M, 2SB1097, 2SB1097-M, 2SB708, 2SB708-R, BD204, BD304, BD536, BD536K, BD538, BD538K, BD708, BD710, BD712, BD744A, BD744B, BD744C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD908, BD910, BD912, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, KSA1010, KSA1010R, KSB1097, KSB1097-R, KSB707, KSB707-R, KSB708, KSB708-R, MJE15029, MJE15029G, MJE2901T, MJE2955T, MJE2955TG, MJF2955, MJF2955G oder NTE197 ersetzen.
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