Bipolartransistor MJE2901T

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE2901T

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 25 bis 100
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Electrically Similar to the Popular MJE2901 transistor

Pinbelegung des MJE2901T

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE2901T ist der MJE2801T.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE2901T

Sie können den Transistor MJE2901T durch einen 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, BD708, BD710, BD712, BD744A, BD744B, BD744C, BD908, BD910, BD912, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, MJE2955T, MJE2955TG, MJF2955 oder MJF2955G ersetzen.
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