Bipolartransistor BD536K

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD536K

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BD536K

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD536K kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 100 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD536 liegt im Bereich von 40 bis 0, die des BD536J im Bereich von 30 bis 75.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD536K ist der BD535K.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD536K

Sie können den Transistor BD536K durch einen 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, BD204, BD304, BD538, BD538K, BD708, BD710, BD712, BD744A, BD744B, BD744C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD908, BD910, BD912, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, MJE15029, MJE15029G, MJE2901T, MJE2955T, MJE2955TG, MJF2955 oder MJF2955G ersetzen.

Equivalent

Same transistor is also available in:
  • TO-220 package, BD534: 50 watts
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