Bipolartransistor MJE2955T

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE2955T

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -70 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des MJE2955T

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE2955T ist der MJE3055T.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE2955T

Sie können den Transistor MJE2955T durch einen 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, BD708, BD710, BD712, BD744A, BD744B, BD744C, BD908, BD910, BD912, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, MJE2955TG, MJF2955 oder MJF2955G ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJE2955TG-Transistor ist die bleifreie Version des MJE2955T.
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