Bipolartransistor MJE2955TG

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE2955TG

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -70 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Der MJE2955TG ist die bleifreie Version des MJE2955T-Transistors

Pinbelegung des MJE2955TG

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE2955TG ist der MJE3055TG.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE2955TG

Sie können den Transistor MJE2955TG durch einen 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, BD708, BD710, BD712, BD744A, BD744B, BD744C, BD908, BD910, BD912, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, MJE2955T, MJF2955 oder MJF2955G ersetzen.
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