Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1097-M
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SB1097-M
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1097-M kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1097 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SB1097-K im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1097-L im Bereich von 80 bis 120.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1097-M-Transistor könnte nur mit "B1097-M" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1097-M ist der 2SD1588-M.