Caractéristiques électriques du transistor 2SD560-MB
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
Tension collecteur-base maximum: 150 V
Tension émetteur-base maximum: 7 V
Courant collecteur continu maximum: 5 A
Dissipation de puissance maximum: 30 W
Gain de courant (hfe): 2000 à 5000
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du 2SD560-MB
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD560-MB peut avoir un gain en courant continu de 2000 à 5000. Le gain en courant continu du 2SD560 est compris entre 2000 à 15000, celui du 2SD560-KB entre 5000 à 15000, celui du 2SD560-LB entre 3000 à 7000.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD560-MB peut n'être marqué que D560-MB.
Complémentaire du transistor 2SD560-MB
Le transistor PNP complémentaire du 2SD560-MB est le 2SB601-M.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD560-MB