Caractéristiques électriques du transistor KSD560-R
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
Tension collecteur-base maximum: 150 V
Tension émetteur-base maximum: 7 V
Courant collecteur continu maximum: 5 A
Dissipation de puissance maximum: 30 W
Gain de courant (hfe): 2000 à 5000
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du KSD560-R
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor KSD560-R peut avoir un gain en courant continu de 2000 à 5000. Le gain en courant continu du KSD560 est compris entre 2000 à 15000, celui du KSD560-O entre 3000 à 7000, celui du KSD560-Y entre 5000 à 15000.
Complémentaire du transistor KSD560-R
Le transistor PNP complémentaire du KSD560-R est le KSB601-R.
Substituts et équivalents pour le transistor KSD560-R