Transistor bipolaire KSD560-R

Caractéristiques électriques du transistor KSD560-R

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
  • Tension collecteur-base maximum: 150 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 2000 à 5000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du KSD560-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSD560-R peut avoir un gain en courant continu de 2000 à 5000. Le gain en courant continu du KSD560 est compris entre 2000 à 15000, celui du KSD560-O entre 3000 à 7000, celui du KSD560-Y entre 5000 à 15000.

Complémentaire du transistor KSD560-R

Le transistor PNP complémentaire du KSD560-R est le KSB601-R.

Substituts et équivalents pour le transistor KSD560-R

Vous pouvez remplacer le transistor KSD560-R par 2N6045, 2N6045G, 2N6531, 2N6532, 2N6533, 2SD1195, 2SD1196, 2SD1415, 2SD1415A, 2SD1829, 2SD1830, 2SD560, 2SD560-MB, 2SD633, 2SD772, 2SD772A, 2SD792, 2SD792A, BD243C, BD539C, BD539D, BD543C, BD545C, BD649, BD651, BD801, BD901, BD953, BD955, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW23C, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW63C, BDW63D, BDW73C, BDW73D, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, KSB601, KSB601-R, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF122, MJF122G, MJF15030, MJF15030G, TIP102, TIP102G, TIP122, TIP122G, TIP132, TIP132G, TIP142T, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E, TIP42F ou TTD1415B.
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