Caractéristiques électriques du transistor 2SD1891-Q
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 90 V
Tension collecteur-base maximum: 110 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 4 A
Dissipation de puissance maximum: 40 W
Gain de courant (hfe): 8000 à 30000
Fréquence de transition minimum: 20 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220F
Brochage du 2SD1891-Q
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD1891-Q peut avoir un gain en courant continu de 8000 à 30000. Le gain en courant continu du 2SD1891 est compris entre 5000 à 30000, celui du 2SD1891-P entre 5000 à 15000.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1891-Q peut n'être marqué que D1891-Q.
Complémentaire du transistor 2SD1891-Q
Le transistor PNP complémentaire du 2SD1891-Q est le 2SB1251-Q.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1891-Q