Caractéristiques électriques du transistor KSB601-R
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
Tension collecteur-base maximum: 100 V
Tension émetteur-base maximum: 7 V
Courant collecteur continu maximum: 5 A
Dissipation de puissance maximum: 30 W
Gain de courant (hfe): 2000 à 5000
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du KSB601-R
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor KSB601-R peut avoir un gain en courant continu de 2000 à 5000. Le gain en courant continu du KSB601 est compris entre 2000 à 15000, celui du KSB601-O entre 3000 à 7000, celui du KSB601-Y entre 5000 à 15000.
Complémentaire du transistor KSB601-R
Le transistor PNP complémentaire du KSB601-R est le KSD560-R.
Substituts et équivalents pour le transistor KSB601-R