Caractéristiques électriques du transistor 2SB1133-Q
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
Tension collecteur-base maximum: -60 V
Tension émetteur-base maximum: -6 V
Courant collecteur continu maximum: -3 A
Dissipation de puissance maximum: 25 W
Gain de courant (hfe): 70 à 140
Fréquence de transition minimum: 40 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220F
Brochage du 2SB1133-Q
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB1133-Q peut avoir un gain en courant continu de 70 à 140. Le gain en courant continu du 2SB1133 est compris entre 70 à 280, celui du 2SB1133-R entre 100 à 200, celui du 2SB1133-S entre 140 à 280.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1133-Q peut n'être marqué que B1133-Q.
Complémentaire du transistor 2SB1133-Q
Le transistor NPN complémentaire du 2SB1133-Q est le 2SD1666-Q.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1133-Q