Transistor bipolaire 2N6110

Caractéristiques électriques du transistor 2N6110

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -70 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 30 à 150
  • Fréquence de transition minimum: 10 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2N6110

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N6110

Le transistor NPN complémentaire du 2N6110 est le 2N6289.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6110

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6110 par 2N6107, 2N6107G, 2N6491, 2N6491G, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD800, BD802, BD810, BD910, BD912, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78 ou NTE197.
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