Transistor bipolaire 2N6490G

Caractéristiques électriques du transistor 2N6490G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -70 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 75 W
  • Gain de courant (hfe): 20 à 150
  • Fréquence de transition minimum: 5 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220
  • Le 2N6490G est la version sans plomb du transistor 2N6490

Brochage du 2N6490G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6490G

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6490G par 2N6490, 2N6491, 2N6491G, BD744A, BD744B, BD744C, BD908, BD910 ou BD912.
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