Elektrische Eigenschaften des Transistors BD379-10
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
Verlustleistung, max: 25 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 63 bis 160
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des BD379-10
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor BD379-10 kann eine Gleichstromverstärkung von 63 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD379 liegt im Bereich von 40 bis 375, die des BD379-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BD379-25 im Bereich von 150 bis 375, die des BD379-6 im Bereich von 40 bis 100.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum BD379-10 ist der BD380-10.
SMD-Version des Transistors BD379-10
Der BCP56 (SOT-223), BCP56-10 (SOT-223), BCX56 (SOT-89) und BCX56-10 (SOT-89) ist die SMD-Version des BD379-10-Transistors.
