Bipolartransistor BD135-6

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 45 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
• Verlustleistung, max: 12.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 100
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BD135-6 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 100 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD135 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des BD135-10 im Bereich von 63 bis 160, die des BD135-16 im Bereich von 100 bis 250.Der komplementäre PNP-Transistor zum BD135-6 ist der BD136-6.Der BCP54 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD135-6-Transistors.Sie können den Transistor BD135-6 durch einen 2N4922, 2N4922G, 2N4923, 2N4923G, 2N5191, 2N5191G, BD131, BD135G, BD137, BD137-6, BD137G, BD139, BD139-6, BD139G, BD165, BD167, BD169, BD175, BD177, BD179, BD187, BD189, BD226, BD228, BD230, BD233, BD233G, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD375, BD375-6, BD377, BD377-6, BD379, BD379-6, BD437, BD437G, BD439, BD439G, BD441, BD441G, BD785, BD787, BD787G, BD789, MJE223, MJE224, MJE225, MJE240, MJE241, MJE242, MJE721 oder MJE722 ersetzen.