Bipolartransistor BD179G

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD179G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 63 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD179G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD179G ist der BD180G.

SMD-Version des Transistors BD179G

Der BDP951 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD179G-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD179G

Sie können den Transistor BD179G durch einen BD179, BD179-10, BD789, BD791, KSE182, MJE182, MJE182G, MJE240, MJE241, MJE242, MJE243, MJE243G oder MJE244 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com