Bipolartransistor BDX35

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDX35

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 45 bis 450
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BDX35

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDX35

Sie können den Transistor BDX35 durch einen BDX36 oder BDX37 ersetzen.
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