Bipolartransistor BD789

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
• Verlustleistung, max: 15 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 250
• Übergangsfrequenz, min: 40 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum BD789 ist der BD790.Der BDP951 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD789-Transistors.Sie können den Transistor BD789 durch einen BD791, MJE242 oder MJE244 ersetzen.