Bipolartransistor BD377-10

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD377-10

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 75 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 63 bis 160
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD377-10

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD377-10 kann eine Gleichstromverstärkung von 63 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD377 liegt im Bereich von 40 bis 375, die des BD377-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BD377-25 im Bereich von 150 bis 375, die des BD377-6 im Bereich von 40 bis 100.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD377-10 ist der BD378-10.

SMD-Version des Transistors BD377-10

Der FMMT451 (SOT-23) ist die SMD-Version des BD377-10-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD377-10

Sie können den Transistor BD377-10 durch einen 2SD794A, BD177, BD177-10, BD179, BD179-10, BD179G, BD189, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD379, BD379-10, BD787, BD787G, BD789, BD791, BDX35, BDX36, BDX37, KSD794A, KSE181, KSE182, MJE181, MJE181G, MJE182, MJE182G, MJE223, MJE225, MJE240, MJE241, MJE242, MJE243, MJE243G oder MJE244 ersetzen.
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