Elektrische Eigenschaften des Transistors BD377-10
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 75 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
Verlustleistung, max: 25 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 63 bis 160
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des BD377-10
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor BD377-10 kann eine Gleichstromverstärkung von 63 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD377 liegt im Bereich von 40 bis 375, die des BD377-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BD377-25 im Bereich von 150 bis 375, die des BD377-6 im Bereich von 40 bis 100.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum BD377-10 ist der BD378-10.
SMD-Version des Transistors BD377-10
Der FMMT451 (SOT-23) ist die SMD-Version des BD377-10-Transistors.