Bipolartransistor BD135

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 45 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
• Verlustleistung, max: 12.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 250
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BD135 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD135-10 liegt im Bereich von 63 bis 160, die des BD135-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BD135-6 im Bereich von 40 bis 100.Der komplementäre PNP-Transistor zum BD135 ist der BD136.Der BCP54 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD135-Transistors.Sie können den Transistor BD135 durch einen BD131, BD135G, BD137, BD137G, BD139, BD139G, BD165, BD167, BD169, BD175, BD177, BD179, BD187, BD189, BD226, BD228, BD230, BD233, BD233G, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD375, BD377, BD379, BD785, BD787, BD787G, BD789, MJE225, MJE242, MJE721 oder MJE722 ersetzen.Der BD135G-Transistor ist die bleifreie Version des BD135.