Bipolartransistor MJE223

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE223

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des MJE223

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE223 ist der MJE233.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE223

Sie können den Transistor MJE223 durch einen BD189, BD787, BD787G, BD789, BD791, MJE225, MJE240, MJE242 oder MJE244 ersetzen.
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