Bipolartransistor BD377

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD377

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 75 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 375
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD377

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD377 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 375 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD377-10 liegt im Bereich von 63 bis 160, die des BD377-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BD377-25 im Bereich von 150 bis 375, die des BD377-6 im Bereich von 40 bis 100.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD377 ist der BD378.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD377

Sie können den Transistor BD377 durch einen BD189, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD379, MJE225, MJE242 oder MJE244 ersetzen.
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