Bipolartransistor BD175-10

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 45 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
• Verlustleistung, max: 30 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 63 bis 160
• Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BD175-10 kann eine Gleichstromverstärkung von 63 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD175 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des BD175-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BD175-6 im Bereich von 40 bis 60.Der komplementäre PNP-Transistor zum BD175-10 ist der BD176-10.Sie können den Transistor BD175-10 durch einen 2SD794, 2SD794A, BD131, BD177, BD177-10, BD179, BD179-10, BD179G, BD187, BD189, BD785, BD787, BD787G, BD789, BDX35, BDX36, BDX37, KSD794, KSD794A, KSE181, KSE182, MJE181, MJE181G, MJE182, MJE182G, MJE223, MJE225, MJE240, MJE241 oder MJE242 ersetzen.