Bipolartransistor BD379

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD379

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 375
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD379

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD379 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 375 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD379-10 liegt im Bereich von 63 bis 160, die des BD379-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BD379-25 im Bereich von 150 bis 375, die des BD379-6 im Bereich von 40 bis 100.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD379 ist der BD380.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD379

Sie können den Transistor BD379 durch einen BD237, BD237G, MJE242 oder MJE244 ersetzen.
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