Bipolartransistor BD375

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
• Verlustleistung, max: 25 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 375
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BD375 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 375 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD375-10 liegt im Bereich von 63 bis 160, die des BD375-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BD375-25 im Bereich von 150 bis 375, die des BD375-6 im Bereich von 40 bis 100.Der komplementäre PNP-Transistor zum BD375 ist der BD376.Sie können den Transistor BD375 durch einen BD131, BD187, BD189, BD233, BD233G, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD377, BD379, MJE225 oder MJE242 ersetzen.