Bipolartransistor BD139

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
• Verlustleistung, max: 12.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 250
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BD139 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD139-10 liegt im Bereich von 63 bis 160, die des BD139-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BD139-6 im Bereich von 40 bis 100.Der komplementäre PNP-Transistor zum BD139 ist der BD140.Der BCP56 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD139-Transistors.Sie können den Transistor BD139 durch einen BD139G, BD169, BD179, BD230, BD237, BD237G, BD379, BD789, BD791, MJE242, MJE244 oder MJE722 ersetzen.Der BD139G-Transistor ist die bleifreie Version des BD139.