Bipolartransistor BD137

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD137

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 12.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD137

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD137 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD137-10 liegt im Bereich von 63 bis 160, die des BD137-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BD137-6 im Bereich von 40 bis 100.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD137 ist der BD138.

SMD-Version des Transistors BD137

Der BCP55 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD137-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD137

Sie können den Transistor BD137 durch einen BD137G, BD139, BD139G, BD167, BD169, BD177, BD179, BD189, BD228, BD230, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD377, BD379, BD787, BD787G, BD789, BD791, MJE225, MJE242, MJE244, MJE721 oder MJE722 ersetzen.

Bleifreie Version

Der BD137G-Transistor ist die bleifreie Version des BD137.
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