Bipolartransistor BD226

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD226

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 12.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 125 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD226

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD226 ist der BD227.

SMD-Version des Transistors BD226

Der BCP54 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD226-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD226

Sie können den Transistor BD226 durch einen BD131, BD135, BD135G, BD137, BD137G, BD139, BD139G, BD165, BD167, BD169, BD175, BD177, BD179, BD187, BD189, BD228, BD230, BD233, BD233G, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD375, BD377, BD379, BD785, BD787, BD787G, BD789, MJE225, MJE242, MJE721 oder MJE722 ersetzen.
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