Bipolartransistor BD179-10

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
• Verlustleistung, max: 30 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 63 bis 160
• Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BD179-10 kann eine Gleichstromverstärkung von 63 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD179 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des BD179-6 im Bereich von 40 bis 60.Der komplementäre PNP-Transistor zum BD179-10 ist der BD180-10.Der BDP951 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD179-10-Transistors.Sie können den Transistor BD179-10 durch einen BD179G, BD789, BD791, KSE182, MJE182, MJE182G, MJE240, MJE241, MJE242, MJE243, MJE243G oder MJE244 ersetzen.