Bipolartransistor BD177

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
• Verlustleistung, max: 30 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 250
• Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BD177 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD177-10 liegt im Bereich von 63 bis 160, die des BD177-6 im Bereich von 40 bis 60.Der komplementäre PNP-Transistor zum BD177 ist der BD178.Sie können den Transistor BD177 durch einen BD179, BD189, BD787, BD787G, BD789, BD791, MJE225, MJE242 oder MJE244 ersetzen.