Elektrische Eigenschaften des Transistors BD375-10
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
Verlustleistung, max: 25 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 63 bis 160
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des BD375-10
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor BD375-10 kann eine Gleichstromverstärkung von 63 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD375 liegt im Bereich von 40 bis 375, die des BD375-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BD375-25 im Bereich von 150 bis 375, die des BD375-6 im Bereich von 40 bis 100.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum BD375-10 ist der BD376-10.