Bipolartransistor BD139G

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD139G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 12.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Der BD139G ist die bleifreie Version des BD139-Transistors

Pinbelegung des BD139G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD139G ist der BD140G.

SMD-Version des Transistors BD139G

Der BCP56 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD139G-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD139G

Sie können den Transistor BD139G durch einen BD139, BD169, BD179, BD230, BD237, BD237G, BD379, BD789, BD791, MJE242, MJE244 oder MJE722 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com