Bipolartransistor BD137G

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD137G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 12.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Der BD137G ist die bleifreie Version des BD137-Transistors

Pinbelegung des BD137G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD137G ist der BD138G.

SMD-Version des Transistors BD137G

Der BCP55 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD137G-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD137G

Sie können den Transistor BD137G durch einen BD137, BD139, BD139G, BD167, BD169, BD177, BD179, BD189, BD228, BD230, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD377, BD379, BD787, BD787G, BD789, BD791, MJE225, MJE242, MJE244, MJE721 oder MJE722 ersetzen.
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