Bipolartransistor BD137G
Elektrische Eigenschaften des Transistors BD137G
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
- Verlustleistung, max: 12.5 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-126
- Der BD137G ist die bleifreie Version des BD137-Transistors
Pinbelegung des BD137G
Komplementärer PNP-Transistor
SMD-Version des Transistors BD137G
Ersatz und Äquivalent für Transistor BD137G
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com