Bipolartransistor BD135G

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD135G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 12.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Der BD135G ist die bleifreie Version des BD135-Transistors

Pinbelegung des BD135G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD135G ist der BD136G.

SMD-Version des Transistors BD135G

Der BCP54 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD135G-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD135G

Sie können den Transistor BD135G durch einen BD131, BD135, BD137, BD137G, BD139, BD139G, BD165, BD167, BD169, BD175, BD177, BD179, BD187, BD189, BD226, BD228, BD230, BD233, BD233G, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD375, BD377, BD379, BD785, BD787, BD787G, BD789, MJE225, MJE242, MJE721 oder MJE722 ersetzen.
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