Bipolartransistor BD135G
Elektrische Eigenschaften des Transistors BD135G
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 45 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
- Verlustleistung, max: 12.5 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-126
- Der BD135G ist die bleifreie Version des BD135-Transistors
Pinbelegung des BD135G
Komplementärer PNP-Transistor
SMD-Version des Transistors BD135G
Ersatz und Äquivalent für Transistor BD135G
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