Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC2016-GR
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 150 bis 300
Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des KTC2016-GR
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KTC2016-GR kann eine Gleichstromverstärkung von 150 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC2016 liegt im Bereich von 100 bis 300, die des KTC2016-Y im Bereich von 100 bis 200.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC2016-GR ist der KTA1036-GR.
SMD-Version des Transistors KTC2016-GR
Der BDP949 (SOT-223) und FZT692B (SOT-223) ist die SMD-Version des KTC2016-GR-Transistors.