Bipolartransistor KTB988GR

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTB988GR

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 150 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 9 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des KTB988GR

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTB988GR kann eine Gleichstromverstärkung von 150 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTB988 liegt im Bereich von 60 bis 300, die des KTB988O im Bereich von 60 bis 120, die des KTB988Y im Bereich von 100 bis 200.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KTB988GR ist der KTD1351GR.

SMD-Version des Transistors KTB988GR

Der BDP950 (SOT-223) ist die SMD-Version des KTB988GR-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTB988GR

Sie können den Transistor KTB988GR durch einen 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA1634, 2SA1635, 2SA1742, 2SA1742-L, 2SA1743, 2SA1743-L, 2SA1744, 2SA1744-L, 2SA770, 2SA771, 2SB1187, 2SB1375, 2SB1565, 2SB507, 2SB633, 2SB834, 2SB834GR, 2SB858, BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, D45H11, D45H11FP, D45H8, KSB1366, KSB1366-G, KTA1036, KTA1036-GR, KTA1046GR, MJE15029 oder MJE15029G ersetzen.
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