Bipolartransistor NZT660

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
• Verlustleistung, max: 2 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 300
• Übergangsfrequenz, min: 75 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-223

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor NZT660 durch einen BDP950, BDP952, BDP954, BDP956 oder NZT45H8 ersetzen.