Bipolartransistor BD678

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD678

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular MJE700 transistor

Pinbelegung des BD678

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

BD678 equivalent circuit

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD678 ist der BD677.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD678

Sie können den Transistor BD678 durch einen 2N6035, 2N6035G, 2N6036, 2N6036G, BD678A, BD678AG, BD678G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD778, BD780, KSE700, KSE701, KSE702, KSE703, MJE700, MJE700G, MJE701, MJE701G, MJE702, MJE702G, MJE703 oder MJE703G ersetzen.

Bleifreie Version

Der BD678G-Transistor ist die bleifreie Version des BD678.
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