Bipolartransistor MJE700

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE700

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des MJE700

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

MJE700 equivalent circuit

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE700 ist der MJE800.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE700

Sie können den Transistor MJE700 durch einen 2N6035, 2N6035G, 2N6036, 2N6036G, BD678, BD678A, BD678AG, BD678G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD778, BD780, KSE700, KSE701, KSE702, KSE703, MJE700G, MJE701, MJE701G, MJE702, MJE702G, MJE703 oder MJE703G ersetzen.
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