Bipolartransistor 2N6035

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6035

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750 bis 15000
  • Übergangsfrequenz, min: 25 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2N6035

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N6035 ist der 2N6038.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6035

Sie können den Transistor 2N6035 durch einen 2N6035G, 2N6036, 2N6036G, BD190, BD678, BD678A, BD678AG, BD678G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD778, BD780, KSE700, KSE701, KSE702, KSE703, MJE235, MJE252, MJE254, MJE700, MJE700G, MJE701, MJE701G, MJE702, MJE702G, MJE703 oder MJE703G ersetzen.

Bleifreie Version

Der 2N6035G-Transistor ist die bleifreie Version des 2N6035.
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