Bipolartransistor MJE701

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE701

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des MJE701

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

MJE701 equivalent circuit

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE701 ist der MJE801.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE701

Sie können den Transistor MJE701 durch einen 2N6035, 2N6035G, 2N6036, 2N6036G, BD678, BD678A, BD678AG, BD678G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD778, BD780, KSE700, KSE701, KSE702, KSE703, MJE700, MJE700G, MJE701G, MJE702, MJE702G, MJE703 oder MJE703G ersetzen.
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