Bipolartransistor BD778

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD778

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD778

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

BD778 equivalent circuit

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD778 ist der BD777.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD778

Sie können den Transistor BD778 durch einen 2N6035, 2N6035G, 2N6036, 2N6036G, BD678, BD678A, BD678AG, BD678G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, KSE700, KSE701, KSE702, KSE703, MJE700, MJE700G, MJE701, MJE701G, MJE702, MJE702G, MJE703 oder MJE703G ersetzen.
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