Bipolartransistor BD678G

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD678G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Der BD678G ist die bleifreie Version des BD678-Transistors

Pinbelegung des BD678G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD678G ist der BD677G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD678G

Sie können den Transistor BD678G durch einen 2N6035, 2N6035G, 2N6036, 2N6036G, BD678, BD678A, BD678AG, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD778, BD780, KSE700, KSE701, KSE702, KSE703, MJE700, MJE700G, MJE701, MJE701G, MJE702, MJE702G, MJE703 oder MJE703G ersetzen.
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