Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1725-P
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -6 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SA1725-P
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1725-P kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1725 liegt im Bereich von 50 bis 180, die des 2SA1725-O im Bereich von 50 bis 100, die des 2SA1725-Y im Bereich von 90 bis 180.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1725-P-Transistor könnte nur mit "A1725-P" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1725-P ist der 2SC4511-P.
SMD-Version des Transistors 2SA1725-P
Der BDP952 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SA1725-P-Transistors.
