Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1217-O
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
Verlustleistung, max: 10 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 160
Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SA1217-O
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1217-O kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1217 liegt im Bereich von 80 bis 240, die des 2SA1217-Y im Bereich von 120 bis 240.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1217-O-Transistor könnte nur mit "A1217-O" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1217-O ist der 2SC2877-O.
SMD-Version des Transistors 2SA1217-O
Der 2DA1213 (SOT-89) und 2SA1213 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SA1217-O-Transistors.
