Bipolartransistor MJE170G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
• Verlustleistung, max: 12.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 50 bis 250
• Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor MJE170G durch einen BD132, BD176, BD178, BD180, BD180G, BD188, BD190, BD786, BD788, BD788G, BD790, KSE170, KSE171, KSE172, MJE170, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE232, MJE235 oder MJE252 ersetzen.