Bipolartransistor 2SA1213

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1213

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SA1213

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1213 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1213-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SA1213-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1213-Transistor könnte nur mit "A1213" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1213 ist der 2SC2873.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1213

Sie können den Transistor 2SA1213 durch einen 2DA1213 ersetzen.
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